IT之家 10月7日訊，據《韓國經濟日報》當地時間今日報導，三星電子儲存器業務的12層堆疊HBM4E內存已於9月底通過NVIDIA（輝達）及主要超大規模數據中心企業的質量驗證測試，但各客戶的供貨量、合同規模、出貨時間尚未確定。

三星電子此前在今年5月實現了12Hi HBM4E 產品的出樣。該產品結合了1c nm DRAM Die 與4nm Logic Die，單堆栈容量達48GB，支持14~16Gbps腳針速率，實現16%能效提升、14%熱阻改善。

三星電子官方回應稱「無法確認」其12層HBM4E產品是否已通過客戶質量驗證。