周二，芯片股下跌。此前，一家中国存储芯片制造商表示，其在开发新型、更高效率的设计方面取得了重大进展。

长鑫存储技术有限公司（ChangXin Memory Technologies，简称 CXMT）周末宣布，其在新架构上取得进展，将通过在更小空间内存储更多数据来提升存储密度。

长鑫存储是中国与全球存储芯片制造商竞争的主要对手之一，其中包括美光科技、SK海力士和三星电子。这一消息导致相关竞争对手股价下挫。

周二，美光下跌3.62%；SK海力士在韩国上市的股票收跌10%；三星电子下跌7.4%。其他与存储相关的股票，包括闪迪、希捷和西部数据也出现下跌。

在今年夏天那场轰动市场的首次公开募股之前，长鑫存储在本土市场之外几乎鲜为人知。

轰动市场的IPO

长鑫存储在7月通过首次公开募股进入全球投资者视野。

该公司在上海科创板上市首日大涨近466%，并在当时成为中国上市公司中市值最高的一家。

此后，长鑫存储股价较IPO首日每股49元人民币的价格回落了4%，但公司市值仍达到3.46万亿元人民币（5200亿美元），与科技巨头腾讯的3.87万亿元人民币相差不远。

长鑫存储总部位于合肥，其上市时间距离2016年成立大约过去了十年。

长鑫存储IPO后面临的最大问题之一，是其能否缩小与美光、三星和SK海力士之间的能力差距，尤其是在高带宽存储器（HBM）方面。HBM是AI芯片系统的关键组成部分。

尽管庞大的国内需求正在支撑长鑫存储，但该公司在获取芯片制造设备方面仍面临挑战。受美国出口管制影响，包括阿斯麦（ASML）的极紫外光（EUV）光刻机在内的设备实际上已无法进入中国，而制造最先进半导体需要这类设备。

据报道，长鑫存储计划在2026年底前推出一款基于新型单元架构的服务器内存产品。

这一新设计基于“4F square”技术，可实现更高的存储密度。SK海力士也在推进4F square设计，并已在2025年公布了开发该技术的路线图。

分析师通常认为，长鑫存储在存储技术前沿方面落后于全球竞争对手，而任何有关其取得突破的消息，都可能显著影响投资者对全球竞争对手市场优势的看法。

市场份额增长

尽管面临与出口管制相关的挑战，长鑫存储仍取得了显著的市场份额增长。

根据汇丰上周四的一份报告，长鑫存储在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的份额已升至约10%，高于一年前的约4%。

花旗分析师在8月的一份报告中表示：“尽管美国政府不太可能允许中国制造的存储芯片销往美国，但销往欧洲等其他地区数据中心的产品，可能会间接影响美光。”

英国《金融时报》7月援引知情人士的话报道称，苹果已开始测试长鑫存储用于中国市场设备的DRAM芯片，并曾游说美国政府允许更广泛使用该公司产品。苹果已被要求置评。