三星晶圆代工业务要把问世已超过8年的8纳米工艺再延续一代。外界解读认为，此举意在高效盘活现有成熟的深紫外（DUV）产线，避开单价昂贵的极紫外（EUV）光刻机。该工艺瞄准的是不需要像2纳米那样高昂成本的车载、机器人、边缘AI芯片。

据业内20日消息，三星晶圆代工将于年内推出8纳米第二代8LPU+工艺平台。对比上一代8LPU，性能提升12%、功耗降低15%、逻辑面积缩减约8%。

三星8纳米工艺自2017年成功开发8LPP后正式商用，该工艺也是三星先进制程中、EUV导入之前最后一代DUV（氩氟浸式光刻）工艺。2018年三星推出侧重性能与集成密度优化的8LPU；本次新发布的8LPU+，就是在8LPU基础上进一步改良的二代版本。

当前5纳米、4纳米、2纳米等前沿制程算力更强，但关键光刻层必须使用EUV光刻机。单台EUV光刻机造价高达数千亿韩元，推高晶圆成本；而且全球仅有ASML能够供货，设备供给受限。

与之相反，8纳米工艺可以在已经完成折旧摊销的DUV设备产线上生产。经过长期积累，良率数据充分，成本可预判，并且已经拿到车用、工业芯片相关认证，面向整车厂与车载零部件供应商供货门槛更低。

8LPU+的核心目标产品预计为AI微控制器（MCU）以及汽车区域控制器（ZCU）。近期汽车行业普遍采用ZCU架构：把车辆划分为多个区域，每个区域单独配置控制器。采用这套架构后，车门、车身、动力总成等各个分区，都需要布置控制器，芯片需求随之增加。

车载、工业机器人所用MCU与ZCU，需要在严苛环境下稳定工作。比起峰值算力，工作温度区间、长期持续供货能力、内置存储、单价才是更核心指标。

芯片小型化也是重点。边缘AI芯片即便缩小计算核心面积，负责对外连接的I/O、断电后保留数据的嵌入式非易失性存储器（eNVM）仍然会占用大量面积。8LPU+平台在8LPU FinFET晶圆上集成3.3V平面型I/O器件，成功将I/O面积缩减约10%。

该工艺还改善车辆熄火、机器人待机状态下的待机漏电流问题，搭载超低漏电SRAM（ULL-SRAM）以及高阈值电压器件（cHVT）。断电保存储存数据的磁性存储eMRAM达到车载一级（AG1）规格；单元面积0.017μm²，存储密度约20Mb/mm²，同等面积下可容纳更多存储，有利于控制器芯片进一步缩小体积。

业内相关人士表示：“三星晶圆代工生态内现有的8纳米老客户、想要获取车载认证的无晶圆厂芯片企业，都将是8LPU+的潜在客户。海内外设计公司、ASIC厂商已经有基于8纳米eMRAM流片边缘AI系统级芯片（SoC）的经验，导入门槛较低。”

责任编辑：陈钰嘉