IT之家10月21日消息，市场调查机构集邦咨询（TrendForce）援引多方报道称，预估2026年第四季度DRAM合约价格环比上涨约20%。从涨幅来看，相较第二季度约80%和第三季度约40%，增速有所放缓，但DRAM市场整体仍处于价格高位，供应紧张、需求强劲的周期中。
IT之家援引博文介绍，推动价格上涨的核心因素是人工智能推理需求的持续扩张。更大模型、更长上下文窗口以及不断增长的KV缓存需求，正在拉动服务器DRAM和企业级SSD的容量与带宽需求；同时，主要存储器厂商将产能优先投向HBM等高端产品，让传统DRAM供给更趋紧张。
不过，涨势放缓也有现实原因：前期价格基数已经较高，终端市场购买力有所减弱，而部分长期采购协议中的价格上限正逐步生效，限制了价格进一步快速上涨。
在HBM方面，由于供应吃紧，英伟达据报正考虑将Rubin Ultra的HBM堆叠层数从12层降至8层。若其他条件不变，单颗GPU的HBM容量将减少约33%，但同样的DRAM芯片供应理论上可支持多50%的GPU出货。不过，8层HBM因基础裸片成本占比更高，2027年每Gb成本预计反而比12层高出10%至20%。
