联电（NYSE: UMC；TWSE: 2303）与AP Memory（TWSE: 6531）22日宣布，双方将展开技术和制造合作，推进面向AI和高性能计算（HPC）系统的供电解决方案。此次合作将联电的深沟槽电容（DTC）代工技术和可扩展晶圆制造能力，与AP Memory的硅电容设计及系统级整合能力结合起来，以应对下一代数据中心在电源效率方面的挑战。

随着AI工作负载快速扩张，计算系统对供电的要求前所未有地提高，推动数据中心架构从将电源稳定组件放在电路板上，转向将电容直接嵌入中介层或基板。这种做法可以缩短供电路径、改善电源完整性，并支持先进封装中的更高效电压调节。

双方表示，这项合作在2026年第三季度取得重要进展：AP Memory的S-SiCap™ Gen2D离散硅电容设计已完成流片，并完成初步功能验证。下一步将进行基板封装中电容的全面系统级性能与可靠性测试，目标是支持不同电容值和工作电压需求。联电和AP Memory也在探索将合作扩展到其他产品线，包括电容嵌入式中介层和板侧电容，以满足多样化系统设计需求。

联电高级副总裁GC Hung表示：“AI和HPC的增长正在推动供电方式发生根本性转变——从板级供电逐步走向芯片级更垂直的电源整合。联电提供稳健的供电解决方案，包括我们的DTC技术，它能够将高密度电容放得更靠近计算芯片，以实现更稳定的供电。通过与AP Memory合作，我们正帮助将可扩展的解决方案推向市场，以解决AI基础设施持续演进中的关键供电瓶颈。”

AP Memory总裁Ivan Hong表示：“我们采用DTC技术的定制S-SiCap™产品成功完成流片和初步晶圆验证，标志着AP Memory的S-SiCap™设计在灵活性和可制造性方面取得了重要里程碑。通过与联电合作，我们正在为客户提供从产品设计到晶圆制造的整体解决方案。”

联电的供电解决方案路线图涵盖可应用于不同系统架构的离散和嵌入式硅电容，并延伸至内部稳压器等有源元件。联电还在利用其先进封装能力，支持更高密度的电源组件整合，以满足下一代数据中心更高的电压和电容需求。与此同时，联电也在进一步投资新的制造产能，以支持供电和异构整合解决方案。

关于联电

联电（NYSE: UMC，TWSE: 2303）是全球领先的半导体晶圆代工公司。公司提供高质量IC制造服务，专注于逻辑及多种特殊制程技术，服务电子产业各主要领域。联电的综合IC制程技术和制造解决方案包括逻辑/混合信号、嵌入式高压、嵌入式非易失性存储器、RFSOI、BCD等。联电大部分12英寸和8英寸晶圆厂及核心研发均位于台湾，另在亚洲其他地区设有工厂。联电共有12座晶圆厂投入生产，合并产能超过每月40万片晶圆（按12英寸当量计算），并全部通过IATF 16949汽车质量标准认证。联电总部位于台湾新竹，并在美国、欧洲、中国、日本、韩国和新加坡设有当地办公室，全球员工总数为2万人。更多信息请访问：http://www.umc.com。

联电关于前瞻性陈述的说明

上述公告中的部分陈述属于美国联邦证券法意义上的前瞻性陈述，包括有关推出新服务和新技术、未来外包、竞争、晶圆产能、业务关系和市场状况的陈述。投资者需注意，由于多种因素，实际事件和结果可能与这些陈述存在重大差异，包括整体半导体市场和经济状况、市场对联电产品的接受度和需求，以及技术和开发风险。有关这些及其他风险的更多信息，请参见联电向美国证券交易委员会提交的文件。除适用法律要求外，联电不承担因新信息、未来事件或其他原因而更新任何前瞻性陈述的义务。

关于AP Memory

AP Memory（TWSE: 6531）是一家全球无晶圆厂设计半导体公司，专注于定制化存储设计和IP解决方案。产品包括物联网存储器（IoTRAM™）、AI存储解决方案（VHM™）以及硅电容（S-SiCap™）。凭借强大的研发能力，AP Memory致力于为移动通信、可穿戴设备、物联网、高端移动应用、高性能计算和边缘计算等应用提供高性能、低功耗和创新的定制化产品与解决方案。